pn 结

p、n 区接触后多数载流子扩散并留下离化杂质，形成耗尽层与内建电场。理想二极管 $I=I_s[e^{qV/(n{k}_{B}T)}-1]$；若某温度下电流每增加 60 mV 增十倍，增加 120 mV 跨两 decade，电流约增 100 倍。

正向偏压降低势垒、促进少数载流子注入，反向偏压加宽耗尽区且只剩小漏电。结电容随反偏变化，可由 $1/C^2$–$V$ 斜率估掺杂；这一方法要求结近似突变、面积和寄生电容已知。

实验用限流源测正反向 I–V，半对数区提理想因子，脉冲与直流曲线比较识别自热。温度扫描可检验指数斜率和饱和电流的共同变化趋势。低流区复合、高流区串联电阻、表面漏电和隧穿都会偏离理想式；击穿可能为 Zener 或雪崩机制，任何高压测试必须按器件额定值和实验室保护执行。