3.2.4 双端口RAM和多模块存储器

地址与时序模型

双端口RAM允许两端独立访问但同址冲突需仲裁。多模块交叉把连续地址分散到不同模块，提高带宽；低位交叉适合连续访问。

数值和状态推演

4模块低位交叉，地址0,1,2,3落模块0,1,2,3；地址4再回模块0。若模块周期4拍，可流水启动。

推演必须写地址字段、当前命中状态、被替换对象及每一级额外时延。

错解反馈与迁移

错因把多模块等同单次延迟降低。迁移：地址13在4模块低位交叉中落模块1。