3.2.1 SRAM和DRAM

地址与时序模型

SRAM用双稳态单元，快、无需刷新、密度低，常作Cache；DRAM用电容，需刷新，密度高，常作主存。DRAM地址常行列复用。

数值和状态推演

8K行DRAM在64ms内刷完，均匀刷新间隔约64ms/8192=7.8125微秒。刷新占用存储周期会影响访问。

推演必须写地址字段、当前命中状态、被替换对象及每一级额外时延。

错解反馈与迁移

错因把刷新等同重写全部数据一次。迁移：集中刷新会产生较长死区。